| 摘要 |
본 발명은, 보다 높은 게터링 능력을 발휘함으로써, 금속 오염을 억제할 수 있는 반도체 에피텍셜 웨이퍼를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 반도체 에피텍셜 웨이퍼의 제조 방법은, 반도체 웨이퍼(10)의 표면(10A)에 클러스터 이온(Cluster Ions; 16)을 조사하여, 반도체 웨이퍼의 표면(10A)에, 클러스터 이온(16)의 구성 원소인 탄소 및 도펀트 원소가 고용(固溶)된 개질층(18)을 형성하는 제 1 공정과, 반도체 웨이퍼의 개질층(18) 상에, 상기 개질층(18)에 있어서의 도펀트 원소의 피크 농도보다 도펀트 원소의 농도가 낮은 에피텍셜층(20)을 형성하는 제 2 공정을 가지는 것을 특징으로 한다. |
