用于具有高k金属栅极的NFET的结构和方法

摘要

本公开内容提供了一种集成电路。集成电路包括：半导体衬底；n‑型场效应晶体管(nFET)，形成在半导体衬底上方并且具有包括高k介电层、位于高k介电层上方的保护层、位于保护层上方的p功函金属以及位于p功函金属上方的多晶硅层的第一栅叠层；以及p‑型场效应晶体管(pFET)，形成在半导体衬底上方并且具有包括高k介电层、位于高k介电层上方的p功函金属以及位于p功函金属上方的金属材料的第二栅叠层。本发明还提供了用于具有高k金属栅极的NFET的结构和方法。

主权项

一种集成电路，包括：半导体衬底；n型场效应晶体管(nFET)，形成在所述半导体衬底上并且具有包括高k介电层、位于所述高k介电层上的保护层、位于所述保护层上的p功函金属和位于所述p功函金属上的多晶硅层的第一栅叠层；以及p型场效应晶体管(pFET)，形成在所述半导体衬底上并且具有包括所述高k介电层、位于所述高k介电层上的所述p功函金属和位于所述p功函金属上的金属材料的第二栅叠层；伪栅极，形成在所述半导体衬底上并且具有所述高k介电层、位于所述高k介电层上的所述保护层、位于所述保护层上的所述p功函金属和位于所述p功函金属上的所述多晶硅部件。