发明名称 一种像素bank及其制作方法、发光二极管
摘要 本发明公开一种像素bank及其制作方法、发光二极管,其中,像素bank的制作方法包括步骤:A、在基板上依次沉积透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜,并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理;B、在反射金属薄膜上沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜,并利用曝光掩膜进行曝光;C、对负性光阻薄膜进行显影,形成像素bank;D、然后进行后烘,在像素bank上形成倾斜角;E、以像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀,露出透明像素电极薄膜。本发明提高了产品品质,节约了制作成本;由于反射金属薄膜的导电率要大于透明像素电极,还能降低驱动TFT S/D电极到发光区像素电极之间的电阻,减小因电阻导致的信号延迟以及降低显示面板的功耗。
申请公布号 CN106058079A 申请公布日期 2016.10.26
申请号 CN201610683398.2 申请日期 2016.08.18
申请人 TCL集团股份有限公司 发明人 陈亚文
分类号 H01L51/56(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I 主分类号 H01L51/56(2006.01)I
代理机构 深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 代理人 王永文;刘文求
主权项 一种像素bank的制作方法,其特征在于,包括步骤:A、在基板上依次沉积透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜,并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理;B、在反射金属薄膜上沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜,并利用曝光掩膜进行曝光;C、对负性光阻薄膜进行显影,形成像素bank;D、然后进行后烘,在像素bank上形成倾斜角;E、以像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀,露出透明像素电极薄膜。
地址 516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
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