发明名称 |
一种像素bank及其制作方法、发光二极管 |
摘要 |
本发明公开一种像素bank及其制作方法、发光二极管,其中,像素bank的制作方法包括步骤:A、在基板上依次沉积透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜,并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理;B、在反射金属薄膜上沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜,并利用曝光掩膜进行曝光;C、对负性光阻薄膜进行显影,形成像素bank;D、然后进行后烘,在像素bank上形成倾斜角;E、以像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀,露出透明像素电极薄膜。本发明提高了产品品质,节约了制作成本;由于反射金属薄膜的导电率要大于透明像素电极,还能降低驱动TFT S/D电极到发光区像素电极之间的电阻,减小因电阻导致的信号延迟以及降低显示面板的功耗。 |
申请公布号 |
CN106058079A |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201610683398.2 |
申请日期 |
2016.08.18 |
申请人 |
TCL集团股份有限公司 |
发明人 |
陈亚文 |
分类号 |
H01L51/56(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/56(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市君胜知识产权代理事务所 44268 |
代理人 |
王永文;刘文求 |
主权项 |
一种像素bank的制作方法,其特征在于,包括步骤:A、在基板上依次沉积透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜,并对透明像素电极薄膜以及反射金属薄膜进行图案化处理;B、在反射金属薄膜上沉积用于制作像素bank的负性光阻薄膜,并利用曝光掩膜进行曝光;C、对负性光阻薄膜进行显影,形成像素bank;D、然后进行后烘,在像素bank上形成倾斜角;E、以像素bank为掩膜对反射金属薄膜进行刻蚀,露出透明像素电极薄膜。 |
地址 |
516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区 |