| 发明名称 | 半导体存储器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体存储器件可以包括：存储体，具有以预定地址间隔布置的多个字线；地址锁存单元，适用于储存与所述多个字线中的目标字线相对应的目标地址；以及刷新控制单元，适用于响应于智能刷新命令来基于目标地址对第一字线至第N字线执行刷新操作，第一字线至第N字线距离目标字线具有不同的地址间隔，其中，N是自然数。 | ||
| 申请公布号 | CN106057232A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201510926366.6 | 申请日期 | 2015.12.14 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 朱鲁根;金度鸿;金载镒 |
| 分类号 | G11C11/406(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/406(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 俞波;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体存储器件，包括：存储体，具有以预定地址间隔布置的多个字线；地址锁存单元，适用于储存与所述多个字线中的目标字线相对应的目标地址；以及刷新控制单元，适用于响应于智能刷新命令来基于目标地址对第一字线至第N字线执行刷新操作，第一字线至第N字线距离目标字线具有不同的地址间隔，其中，N是自然数。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||