| 发明名称 | 一种改进的参考电流源电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种改进的参考电流源电路，参考电流源电路包括由MOS管组成的镜像电流源，通过第三PMOS管MP3、第三NMOS管MN3引入一条负反馈环路。本发明为了解决自偏置结构的参考电流源电路、峰值结构的电流源电路中由于电路的二阶效应，特别是MOS沟道长度调制效应引起的电流失配导致参考电流源精度比较低，提出了改进的抑制沟道长度调制效应的电路结构，通过引入一条负反馈环路，消除了参考电流源的MOS沟道长度调制效应，以实现高精度的参考电流源。 | ||
| 申请公布号 | CN106055001A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201610403300.3 | 申请日期 | 2016.06.08 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 发明人 | 李现坤;张勇;潘福跃;宣志斌;肖培磊;王彬 |
| 分类号 | G05F1/56(2006.01)I | 主分类号 | G05F1/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 总装工程兵科研一所专利服务中心 32002 | 代理人 | 杨立秋 |
| 主权项 | 一种改进的参考电流源电路，参考电流源电路包括由MOS管组成的镜像电流源，其特征在于：通过第三PMOS管MP3、第三NMOS管MN3引入一条负反馈环路。 | ||
| 地址 | 214035 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号 | ||