发明名称 Pd掺杂SnO<sub>2</sub>氧化物半导体CO传感器制备与应用
摘要 一种Pd掺杂SnO<sub>2</sub>氧化物半导体CO传感器制备方法及其在检测矿井和大气环境中一氧化碳浓度方面的应用,属于气体传感器技术领域。传感器由市售的外表面自带有2个环形金电极的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>绝缘陶瓷管、涂覆在环形金电极和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>绝缘陶瓷管外表面的Pd掺杂SnO<sub>2</sub>氧化物半导体敏感材料、穿过Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>绝缘陶瓷管内部的镍镉合金加热线圈组成。该传感器对较低浓度(检测下限10ppm)的CO具有较好的线性度,这些特点使Pd掺杂SnO<sub>2</sub>氧化物半导体CO传感器能够很好的应用于大气环境和矿井中CO的检测,进一步可以通过检测一氧化碳浓度判断矿井安全与环境安全。
申请公布号 CN106053548A 申请公布日期 2016.10.26
申请号 CN201610352182.8 申请日期 2016.05.25
申请人 吉林大学 发明人 王庆吉;林君;李旭
分类号 G01N27/12(2006.01)I 主分类号 G01N27/12(2006.01)I
代理机构 长春市四环专利事务所(普通合伙) 22103 代理人 郭耀辉
主权项 一种Pd掺杂SnO<sub>2</sub>氧化物半导体CO传感器,由外表面带有2个环形金电极(5)的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>绝缘陶瓷管(1)、涂覆在环形金电极(5)和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>绝缘陶瓷管(1)外表面的半导体敏感材料(2)、穿过Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>绝缘陶瓷管(1)内部的镍镉合金加热线圈(3)和用于导电的铂线(4)组成;其特征在于:半导体敏感材料(2)为Pd掺杂SnO<sub>2</sub>氧化物半导体,该敏感材料是采用一步水热技术制备,经煅烧,涂覆在环形金电极(5)和Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>绝缘陶瓷管(1)外表面。
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