| 发明名称 | 氧化物半导体膜及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的之一是提供一种导电率稳定的氧化物半导体膜。另外，本发明的目的之一是通过使用该氧化物半导体膜，对半导体装置赋予稳定的电特性，提供一种可靠性高的半导体装置。在包含铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的氧化物半导体膜中，具有在平行于氧化物半导体膜的被形成面的法向矢量的方向上一致的c轴取向的结晶区，c轴取向的结晶区的组成以In<sub>1+δ</sub>Ga<sub>1‑δ</sub>O<sub>3</sub>(ZnO)<sub>m</sub>(注意，0<δ<1，m＝1至3)表示，包括c轴取向的结晶区的整体的氧化物半导体膜的组成以In<sub>x</sub>Ga<sub>y</sub>O<sub>3</sub>(ZnO)<sub>m</sub>(注意，0<x<2，0<y<2，m＝1至3)表示。 | ||
| 申请公布号 | CN106057865A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201610663376.X | 申请日期 | 2012.04.10 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 高桥正弘;秋元健吾;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L29/04(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陆蔚 |
| 主权项 | 一种氧化物半导体膜，包括：在所述氧化物半导体膜上部的结晶区，所述结晶区包括晶体，其中所述结晶区的组成以In<sub>1+δ</sub>Ga<sub>1‑δ</sub>O<sub>3</sub>(ZnO)<sub>m</sub>表示，满足0<δ<1和m＝1至3，并且其中，所述结晶区的组成比与所述氧化物半导体膜的组成比不同。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||