用于制造电子器件的化合物和电子器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种用于制造电子器件的化合物和电子器件及其制造方法。具体地，本发明涉及一种通式(I)的官能化合物，其中A是官能结构要素，B是溶解度促进结构要素，和k是在1至20范围内的整数，其中所述官能化合物的分子量至少为550g/摩尔，和所述溶解度促进结构要素B符合通式(L‑I)，其中Ar¹、Ar²各自彼此独立地是芳基或杂芳基基团，它们可被一个或多个任何希望类型的基团R取代。X在每种情况下彼此独立地是N或CR²，优选CH。l是0、1、2、3或4；其中虚线键表示与所述官能结构要素A结合的键。本发明还涉及通式(I)的优选化合物，并涉及包含这些化合物的电子器件。

主权项

通式(I)的官能化合物其中A是官能结构要素，B是溶解度促进结构要素，和k是在1至20范围内的整数，其特征在于所述官能化合物的分子量至少为550g/摩尔，和所述溶解度促进结构要素B符合通式(L‑I)其中Ar¹、Ar²各自彼此独立地是芳基或杂芳基基团，它们可被一个或多个任何希望类型的基团R取代，X在每种情况下彼此独立地是N或CR²，优选CH，R¹、R²各自彼此独立地是氢，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，或具有3至40个C原子的支链或者环状的烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，或者是甲硅烷基，或具有1至40个C原子取代的酮基团，具有2至40个C原子的烷氧基羰基基团，具有7至40个C原子的芳氧基羰基基团，氰基基团(‑CN)，氨基甲酰基基团(‑C(＝O)NH₂)，卤代甲酰基基团(‑C(＝O)‑X，其中X代表卤素原子)，甲酰基基团(‑C(＝O)‑H)，异氰基基团，异氰酸酯基团，硫氰酸酯基团或异硫氰酸酯基团，羟基基团，硝基基团，CF₃基团，Cl，Br，F，可交联的基团或具有5至60个环原子的取代或未取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，或这些体系的组合，其中基团R¹和/或R²中的一个或多个可以彼此之间和/或与基团R¹键合到其上的环形成单或多环的脂族或芳族环系；和l是0、1、2、3或4；其中虚线键表示与所述官能结构要素A结合的键；其中通式(A‑I)的化合物除外，其中以下适用于使用的符号：R⁵在每次出现时相同或者不同地是氢，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们可被一个或多个基团R⁶取代，或N(Ar)₂、Si(Ar)₃、C(＝O)Ar、OAr、ArSO、ArSO₂、P(Ar)₂、P(O)(Ar)₂或B(Ar)₂基团，R⁶在每次出现时相同或者不同地是H，D，F，Cl，Br，I，CHO，N(Ar)₂，C(＝O)Ar，P(＝O)(Ar)₂，S(＝O)Ar，S(＝O)₂Ar，CR⁷＝CR⁷Ar，CN，NO₂，Si(R⁸)₃，B(OR⁸)₂，B(R⁸)₂，B(N(R⁸)₂)₂，OSO₂R⁸，具有1至40个C原子的直链烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，或具有3至40个C原子的支链或者环状的烷基、烷氧基或者硫代烷氧基基团，它们每个可被一个或多个基团R⁸取代，其中一个或多个非相邻的CH₂基团可被R⁸C＝CR⁸、C≡C、Si(R⁸)₂、Ge(R⁸)₂、Sn(R⁸)₂、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR⁸、P(＝O)(R⁸)、SO、SO₂、NR⁸、O、S或CONR⁸代替，和其中一个或多个H原子可被F、Cl、Br、I、CN或NO₂代替，或具有5至60个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们在每种情况下可以被一个或多个基团R⁸取代，或具有5至60个芳族环原子的芳氧基或杂芳氧基基团，它们可被一个或多个基团R⁸取代，或这些体系的组合；R⁷在每次出现时相同或者不同地是H，D，F，或具有1至20个C原子的直链烷基基团，或具有3至20个C原子的支链或环状的烷基基团；此处多个基团R⁷可以彼此形成环系；R⁸在每次出现时相同或者不同地是H，D，或具有1至20个C原子的脂族、芳族和/或杂芳族烃基团，其中另外，H原子可被F代替；和Ar在每次出现时相同或者不同地是具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，它们可以被一个或多个非芳族基团R⁶取代；此处键合至同一氮、磷或硼原子上的两个基团Ar也可以通过单键或选自B(R⁸)、C(R⁸)₂、Si(R⁸)₂、C＝O、C＝NR⁸、C＝C(R⁸)₂、O、S、S＝O、SO₂、N(R⁸)、P(R⁸)和P(＝O)R⁸的桥连基彼此连接。