发明名称 |
一种AgI‑Ag<sub>2</sub>S‑P<sub>2</sub>S<sub>5</sub>非晶态快离子导体材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种AgI‑Ag<sub>2</sub>S‑P<sub>2</sub>S<sub>5</sub>非晶态快离子导体材料及其制备方法,所述材料通过如下方法制备得到:1)在具有氮气气氛保护的手套箱内,将原料Ag<sub>2</sub>S、P<sub>2</sub>S<sub>5</sub>、AgI按比例进行配料,将原料置于石英玻璃管中,然后将石英玻璃管抽真空融封,保证原料处于真空环境下,然后将其置于摇摆炉中反应得到晶体材料;2)将晶体材料置于球磨罐中,并向球磨罐中加入研磨球和研磨助剂,然后将球磨罐置于行星式球磨机中充分球磨,随后真空干燥得到AgI‑Ag<sub>2</sub>S‑P<sub>2</sub>S<sub>5</sub>非晶态快离子导体材料。本发明所制备的非晶态快离子导体有较高的室温离子电导率(达3.33×10<sup>‑3</sup>S/cm),且稳定性较好。 |
申请公布号 |
CN106057276A |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201610383968.6 |
申请日期 |
2016.06.01 |
申请人 |
武汉理工大学 |
发明人 |
陶海征;严尚光;王鹏鹏;乔昂 |
分类号 |
H01B1/06(2006.01)I;H01B1/10(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01B1/06(2006.01)I |
代理机构 |
湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 |
代理人 |
唐万荣 |
主权项 |
一种AgI‑Ag<sub>2</sub>S‑P<sub>2</sub>S<sub>5</sub>非晶态快离子导体材料,其特征在于,所述材料通过如下方法制备得到:1)在具有氮气气氛保护的手套箱内,将原料Ag<sub>2</sub>S、P<sub>2</sub>S<sub>5</sub>、AgI按比例进行配料,并将原料置于石英玻璃管中,然后将石英玻璃管抽真空并利用氢氧焰进行融封,保证原料处于真空环境下,然后将其置于摇摆炉中,经高温反应得到晶体材料;2)将步骤1)中制备的晶体材料置于球磨罐中,并向球磨罐中加入研磨球和研磨助剂,在氮气气氛保护下密封球磨罐,然后将球磨罐置于行星式球磨机中充分球磨,随后将球磨好的样品取出,真空干燥得到AgI‑Ag<sub>2</sub>S‑P<sub>2</sub>S<sub>5</sub>非晶态快离子导体材料。 |
地址 |
430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号 |