用于静电力增强半导体接合的装置、系统及方法

摘要

本文描述微电子装置及制造方法的各种实施例。在一个实施例中，一种用于增强晶片接合的方法包含：将衬底组合件定位于单极静电卡盘上使其与电极直接接触；将导体电耦合到定位于所述第一衬底的顶部上的第二衬底；及施加电压到所述电极，由此在所述第一衬底与所述第二衬底之间创造电势差，所述电势差在所述第一衬底与所述第二衬底之间产生静电力。

主权项

一种用于增强晶片接合的方法，所述方法包含：将衬底组合件定位于单极静电卡盘“ESC”上，所述ESC具有电极，所述电极具有导电支撑表面；将所述衬底组合件的第一衬底定位于所述电极的所述支撑表面上，其中所述衬底组合件进一步包含所述第一衬底上的第二衬底；将导体电耦合到所述第二衬底；施加电压到所述电极，由此在所述第一衬底与所述第二衬底之间创造电势，所述电势在所述第一衬底与所述第二衬底之间产生静电力。