制造金属氧化物层的方法，用该方法制造的层及其用途

摘要

本发明涉及一种用于制造半导体层压制品的方法，所述半导体层压制品包括第一和第二金属氧化物层以及介电层，其中第一金属氧化物层布置在第二金属氧化物层和介电层之间。所述第一和第二金属氧化物层由第一和第二液相相应地形成。本发明还涉及可由此方法获得的半导体层压制品和涉及包括这样的半导体层压制品的电子组件。

主权项

制造包含第一金属氧化物层、第二金属氧化物层和介电层的半导体层压制品的方法，其中该第一金属氧化物层布置在该第二金属氧化物层和该介电层之间，其中所述方法包括：由第一液相形成包括选自氧化铟、氧化镓、氧化锌、氧化锡或其混合物的至少一种金属氧化物的第一金属氧化物层，其中该第一金属氧化物层具有≤ 20 nm的层厚度且该第一液相包括至少一种金属氧化物或至少一种金属氧化物前体，其中该金属氧化物选自氧化铟、氧化镓、氧化锌、氧化锡或其混合物，由第二液相形成包括选自氧化镓、氧化锌、氧化锡、氧化铪、氧化硅、氧化铝、氧化钛、碱金属氧化物、碱土金属氧化物或其混合物的至少一种金属氧化物的第二金属氧化物层，其中该第二液相包括至少一种金属氧化物或至少一种金属氧化物前体，其中该金属氧化物选自氧化镓、氧化锌、氧化锡、氧化铪、氧化硅、氧化铝、氧化钛、碱金属氧化物、碱土金属氧化物或其混合物，其中该第一金属氧化物层的至少一种金属氧化物和该第二金属氧化物层的至少一种金属氧化物不同。