| 发明名称 | 一种场致发射冷阴极 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种场致发射冷阴极，包括绝缘板，在绝缘板上形成的第一导电层，在第一导电层上形成的第二导电层；其中，第二导电层为与绝缘板和第一导电层均垂直的环状石墨烯。本发明场致发射冷阴极结构中的环状石墨烯阴极结构强度高、垂直取向性好，具有场致发射工作电压低、发射电流大的优势。 | ||
| 申请公布号 | CN104616945B | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201510065759.2 | 申请日期 | 2015.02.09 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 仲雪飞;樊兆雯;张雄;屠彦;杨兰兰;王丽丽 |
| 分类号 | H01J1/304(2006.01)I | 主分类号 | H01J1/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 柏尚春 |
| 主权项 | 一种场致发射冷阴极，其特征在于：包括绝缘板，在绝缘板上形成的第一导电层，在第一导电层上形成的第二导电层；其中，第二导电层为与绝缘板和第一导电层均垂直的环状石墨烯；环状石墨烯的层数为1～100。 | ||
| 地址 | 210018 江苏省南京市玄武区四牌楼2号 | ||