半导体衬底的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体衬底的制造方法，其是将包含杂质扩散成分的扩散剂组合物涂布在半导体衬底上，然后对形成的涂布膜进行加热从而使杂质扩散成分扩散至半导体衬底中，所述半导体衬底的制造方法通过扩散剂组合物的纳米级膜厚的涂布和短时间的热处理，能够使杂质扩散成分良好地扩散至半导体衬底中。本发明的解决手段为：在使用包含杂质扩散成分(A)、和具有异氰酸酯基的规定结构的Si化合物(B)的组合物作为扩散剂组合物的情况下，将扩散剂组合物以30nm以下的膜厚涂布在半导体衬底上，并且利用规定方法对扩散剂组合物的涂布膜进行短时间加热。

主权项

一种半导体衬底的制造方法，其包括下述工序：涂布工序，在半导体衬底上涂布扩散剂组合物，形成膜厚为30nm以下的涂布膜；和扩散工序，使所述扩散剂组合物中的杂质扩散成分(A)扩散至所述半导体衬底中，所述扩散剂组合物包含所述杂质扩散成分(A)和下式(1)表示的Si化合物(B)，所述杂质扩散成分(A)的扩散通过选自由灯退火法、激光退火法、及微波照射法组成的组中的一种以上的方法进行，R_4－nSi(NCO)_n···(1)式(1)中，R为烃基，n为整数3或4。