发明名称 |
相移空白掩模及光掩模 |
摘要 |
本发明公开了一种用于制造光掩模的空白掩模,其可实现32nm级以下,优选地,14nm级以下,更优选地,10nm级以下的微细图案。为此,在透明基板上提供相移膜、光屏蔽膜、刻蚀阻止膜和硬膜,所述光屏蔽膜具有成分不同的两层或多层的多层结构,其中一种必须包含氧(O),必须包含氧(O)的光屏蔽层占光屏蔽膜总厚度的50%-100%,所述相移膜具有10%-50%的透射率。 |
申请公布号 |
CN106054515A |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201510848681.1 |
申请日期 |
2015.11.27 |
申请人 |
株式会社S&STECH |
发明人 |
南基守;申澈;李钟华;梁澈圭;崔珉箕;金昌俊;张圭珍 |
分类号 |
G03F1/26(2012.01)I |
主分类号 |
G03F1/26(2012.01)I |
代理机构 |
北京京万通知识产权代理有限公司 11440 |
代理人 |
齐晓静 |
主权项 |
具有位于透明基板上的相移膜和光屏蔽膜的相移空白掩模,其特征在于,所述光屏蔽膜包括多层膜,所述多层膜具有两层或多层,包含氧(O)和氮(N)中至少之一,所述膜的至少之一必须包含氧(O),所述必须包含氧(O)的膜占所述光屏蔽膜总厚度的50%‑95%。 |
地址 |
韩国大邱广域达西区虎山洞路42号704-240 |