发明名称 相移空白掩模及光掩模
摘要 本发明公开了一种用于制造光掩模的空白掩模,其可实现32nm级以下,优选地,14nm级以下,更优选地,10nm级以下的微细图案。为此,在透明基板上提供相移膜、光屏蔽膜、刻蚀阻止膜和硬膜,所述光屏蔽膜具有成分不同的两层或多层的多层结构,其中一种必须包含氧(O),必须包含氧(O)的光屏蔽层占光屏蔽膜总厚度的50%-100%,所述相移膜具有10%-50%的透射率。
申请公布号 CN106054515A 申请公布日期 2016.10.26
申请号 CN201510848681.1 申请日期 2015.11.27
申请人 株式会社S&STECH 发明人 南基守;申澈;李钟华;梁澈圭;崔珉箕;金昌俊;张圭珍
分类号 G03F1/26(2012.01)I 主分类号 G03F1/26(2012.01)I
代理机构 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 代理人 齐晓静
主权项 具有位于透明基板上的相移膜和光屏蔽膜的相移空白掩模,其特征在于,所述光屏蔽膜包括多层膜,所述多层膜具有两层或多层,包含氧(O)和氮(N)中至少之一,所述膜的至少之一必须包含氧(O),所述必须包含氧(O)的膜占所述光屏蔽膜总厚度的50%‑95%。
地址 韩国大邱广域达西区虎山洞路42号704-240