竖直结型鳍式FET器件及制造方法

摘要

本申请涉及竖直结型鳍式FET器件及制造方法。一种竖直结型场效应晶体管(JFET)由半导体衬底所支撑，该半导体衬底包括在该半导体衬底之内的掺杂有第一导电类型掺杂物的源极区。掺杂有该第一导电类型掺杂物的半导体材料鳍具有与该源极区接触的第一端、并且进一步包括第二端以及在该第一端和该第二端之间的多个侧壁。漏极区由从该鳍的第二端生长的第一外延材料形成并且掺杂有该第一导电类型掺杂物。栅极结构由从该鳍的这些侧壁生长的第二外延材料形成并且掺杂有第二导电类型掺杂物。

主权项

一种集成电路晶体管器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底之内的掺杂有第一导电类型掺杂物的区；半导体材料鳍，所述半导体材料鳍具有与在所述半导体衬底之内的所述区接触的第一端并且具有第二端并且具有在所述第一端和所述第二端之间的多个侧壁，所述鳍掺杂有所述第一导电类型掺杂物；与所述半导体材料鳍的所述第二端接触的第一外延区，所述第一外延区掺杂有所述第一导电类型掺杂物；以及与所述半导体材料鳍的多个侧壁接触的第二外延区，所述第二外延区掺杂有第二导电类型掺杂物。