| 发明名称 | 互连结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种示例性半导体器件，包括：第一导电部件，位于介电层中；以及第二导电部件，位于介电层上方并电连接至第一导电部件。第二导电部件包括双镶嵌结构，并且还包括：顶部，位于第二导电部件的导线部分和通孔部分内；和底部，位于第二导电部件的通孔部分中。底部包括与顶部不同的导电材料，并且底部的厚度至少为第二导电部件的通孔部分的总厚度的大约百分之二十。本发明还提供了一种用于形成半导体器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106057772A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201510610880.9 | 申请日期 | 2015.09.23 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄义钧;姚志翔;郑价言;江文铨;黄瀛文 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一导电部件，位于介电层中；第二导电部件，位于所述介电层上方并且电连接至所述第一导电部件，其中，所述第二导电部件包括双镶嵌结构并且还包括：顶部，位于所述第二导电部件的导线部分和通孔部分内；以及底部，位于所述第二导电部件的通孔部分中，其中，所述底部包括与所述顶部不同的导电材料，并且所述底部的厚度至少为所述第二导电部件的通孔部分的总厚度的大约百分之二十。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||