多晶硅晶粒尺寸测量装置及多晶硅晶粒的尺寸测量方法

摘要

本发明提供一种多晶硅晶粒尺寸测量装置及多晶硅晶粒的尺寸测量方法，所述多晶硅晶粒尺寸测量装置的结构简单，所述多晶硅晶粒的尺寸测量方法易于操作，利用光学原理测量多晶硅晶粒尺寸，可快速有效的分析出多晶硅薄膜的晶粒尺寸和结晶均匀性，减少了切片、泡酸和扫描电子显微镜测试环节，提高多晶硅晶粒尺寸测量效率和降低生产成本，并可对生产过程中多晶硅薄膜的结晶质量进行量化性实时监控。

主权项

一种多晶硅晶粒尺寸测量装置，其特征在于，包括载台(10)、设于所述载台(10)上方的光源(20)、及一光谱仪(31)；所述光谱仪(31)包括本体及位于所述载台(10)上方且与本体相连的光线采集元件(30)；所述载台(10)用于放置多晶硅薄膜基板(40)，所述多晶硅薄膜基板(40)包括衬底基板(41)及设于所述衬底基板(41)上的多晶硅薄膜(42)；所述光源(20)用于向所述多晶硅薄膜(42)射出与所述多晶硅薄膜(42)的夹角为α的入射光线；所述光谱仪(31)通过光线采集元件(30)采集从所述多晶硅薄膜(42)上反射回来的与所述多晶硅薄膜(42)的夹角为β的衍射光线，并通过本体分析出采集到的光线的光谱图，所述光谱图中的峰值波长即为所述衍射光线的波长λ_i；从而可按照反射光栅公式d(cosα+cosβ)＝nλ_i计算出多晶硅晶粒的粒径d＝nλ_i/(cosα+cosβ)，n＝1。