| 发明名称 | 用于CMOS的双轴向拉伸应变的Ge沟道 | ||
| 摘要 | 一种装置，包括：互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器，该反相器包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；以及p沟道MOSFET，其中，n沟道MOSFET中的沟道的材料和p沟道MOSFET中的沟道的材料经受双轴向拉伸应变。一种方法，包括：形成n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；形成p沟道MOSFET；以及连接n沟道MOSFET和p沟道MOSFET的栅极电极，并且连接n沟道MOSFET和p沟道MOSFET的漏极区，其中，n沟道MOSFET中的沟道的材料和p沟道MOSFET中的沟道的材料经受双轴向拉伸应变。 | ||
| 申请公布号 | CN106062953A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201380081249.3 | 申请日期 | 2013.12.27 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | P·马吉;N·慕克吉;R·皮拉里塞;W·拉赫马迪;R·S·周 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;韩宏 |
| 主权项 | 一种装置，包括：互补金属氧化物半导体(CMOS)反相器，所述CMOS反相器包括n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和p沟道MOSFET，其中，所述n沟道MOSFET中的沟道的材料和所述p沟道MOSFET中的沟道的材料均经受双轴向拉伸应变。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||