| 发明名称 |
SCHOTTKY BARRIER DIODE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
쇼트키 장벽 다이오드를 제조하는 방법이 제공되고, 이 방법은, 반도체 기판 내에 제 1 도전형의 제 1 웰 영역을 포함하는 반도체 기판을 제공하는 단계; 제 1 웰 영역 내에 제 1 도전형과 반대인 제 2 도전형의 도펀트를 가지는 표면-도핑된 층을 형성하는 단계; 표면-도핑된 층과 접촉하는 유전체 층을 형성하는 단계; 유전체 층에서 표면-도핑된 층의 도펀트를 이동시키기 위하여 표면-도핑된 층에 대하여 열 처리를 수행하는 단계; 제 1 웰 영역을 노출시키기 위하여 유전체 층을 제거하는 단계; 및 노출된 제 1 웰 영역과 접촉하는 실리사이드 층을 형성하는 단계를 포함한다. 쇼트키 장벽 다이오드가 또한 제공된다. |
| 申请公布号 |
KR20160123961(A) |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
| 申请号 |
KR20150164981 |
申请日期 |
2015.11.24 |
| 申请人 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. |
发明人 |
LIN MENG HAN;CHOU CHIEN CHIH;HSIUNG CHIH WEN;THEI KONG BENG |
| 分类号 |
H01L29/872;H01L21/02;H01L21/768;H01L29/47 |
主分类号 |
H01L29/872 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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