| 发明名称 | 具有垂直存储器单元的非易失性存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种非易失性存储器件及用于制造非易失性存储器件的方法，所述非易失性存储器件包括：多个栅电极，所述多个栅电极堆叠在半导体衬底之上，并且沿着半导体衬底在第一方向延伸；以及多个结层，所述多个结层具有从半导体衬底突出并且与栅电极交叉的第一区域，以及形成在栅电极之间的第二区域。 | ||
| 申请公布号 | CN102956644B | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201210081695.1 | 申请日期 | 2012.03.26 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 安正烈 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;许伟群 |
| 主权项 | 一种非易失性存储器件，包括：多个栅电极，所述多个栅电极堆叠在半导体衬底之上，并且沿着所述半导体衬底在第一方向延伸；以及多个结层，所述多个结层具有：从所述半导体衬底突出且与所述栅电极交叉的第一区域，以及形成在所述栅电极之间的第二区域，其中，所述栅电极和所述第二区域沿着垂直于半导体衬底的方向交替堆叠。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||