FLASH闪存器件

摘要

本发明公开了一种FLASH闪存器件，在顶层氧化层中设置擦除窗口，将擦除窗口内的第一顶层氧化层设置比较薄、而擦除窗口外的第二顶层氧化层厚度保持较厚，从而能够通过位于擦除窗口中的第一顶层氧化层实现对浮栅中电子的擦除，能大大减轻擦除时对底层氧化层的损伤；同时擦除窗口区域内的多晶硅控制栅到半导体衬底之间的整体厚度减薄，从而能减少器件擦除时在多晶硅控制栅上所加的电压，从而能进一步减轻擦除时对底层氧化层的损伤；底层氧化层的损伤的减轻，能提高器件的电荷保持能力并提高数据挥发的可靠性。

主权项

一种FLASH闪存器件，其特征在于，FLASH闪存器件的栅极结构包括：底层氧化层，形成于半导体衬底表面；多晶硅浮栅，形成于所述底层氧化层表面；顶层氧化层，形成于所述多晶硅浮栅表面，所述顶层氧化层包括一擦除窗口，位于所述擦除窗口内的所述顶层氧化层为第一顶层氧化层，位于所述擦除窗口外的所述顶层氧化层为第二顶层氧化层；多晶硅控制栅，形成于所述顶层氧化层表面；所述第一顶层氧化层为对存储于所述多晶硅浮栅中电荷信息进行擦除时的FN隧穿层，所述第一顶层氧化层的厚度满足对所述多晶硅浮栅进行擦除时形成FN隧穿的条件；所述第二顶层氧化层的厚度大于所述第一顶层氧化层，且所述第二顶层氧化层的厚度满足对所述多晶硅浮栅进行擦除时不形成FN隧穿的条件；所述底层氧化层为对所述多晶硅浮栅进行电荷信息写入时沟道热载流子注入的隧穿层，所述底层氧化层的厚度大于等于所述第一顶层氧化层的厚度，所述底层氧化层的厚度在满足写入时能进行沟道热载流子注入的条件下，所述底层氧化层的厚度越厚、所述底层氧化层的可靠性越好。