包括空腔式盖状物的半导体器件

摘要

本发明提供了包括空腔式盖状物的半导体器件，具体而言，涉及具有盖状物的半导体器件和制造具有盖状物的半导体器件的方法。半导体器件包括衬底。器件位于衬底。将由半导体材料制成的盖状物设置在器件上，以在器件周围形成空腔。使用半导体工艺形成盖状物。在其他示例中，可以由非导电材料制成盖状物，例如聚合物材料。盖状物可以作为批量处理的部分形成。

主权项

一种半导体，包括：衬底；半导体器件，所述半导体器件位于所述衬底处；由半导体材料制成的盖状物，所述盖状物位于所述半导体器件上方以在所述半导体器件周围形成空腔。