| 发明名称 | 包括晶体管的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及包括晶体管的半导体器件。一种半导体器件(1)，该半导体器件在具有第一主表面的半导体本体中包括晶体管(10)。晶体管(10)包括：第一导电类型的源极区域(201)；漏极区域(205)；第二导电类型的本体区域(230)，第二导电类型与第一导电类型不同；以及栅极电极(210)，该栅极电极设置于在与第一主表面平行的第一方向上延伸的栅极沟槽(212)中。本体区域(230)和漏极区域(205)沿着该第一方向而布置。本体区域(230)包括沿着该第一方向延伸的第一脊(220)，第一脊(220)设置在半导体本体中的相邻的栅极沟槽(212)之间。本体区域(230)还包括第二脊(221)。第二脊(221)的宽度大于第一脊(220)的宽度，这些宽度是在与该第一方向垂直的第二方向上测量的。 | ||
| 申请公布号 | CN106057898A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201610230492.2 | 申请日期 | 2016.04.14 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | A·迈泽尔;T·施勒塞尔 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 曾立 |
| 主权项 | 一种半导体器件(1)，所述半导体器件在具有第一主表面的半导体本体中包括晶体管(10)，所述晶体管(10)包括：第一导电类型的源极区域(201)；漏极区域(205)；第二导电类型的本体区域(230)，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同；以及栅极电极(210)，所述栅极电极设置于在与所述第一主表面平行的第一方向上延伸的栅极沟槽(212)中，所述源极区域(201)、所述本体区域(230)和所述漏极区域(205)沿着所述第一方向而设置，所述本体区域(230)包括沿着所述第一方向延伸的第一脊(220)，所述第一脊(220)设置在所述半导体本体中的相邻的栅极沟槽(212)之间，所述本体区域(230)还包括第二脊(221)，所述第二脊(221)的宽度大于所述第一脊(220)的宽度，所述宽度是在与所述第一方向垂直的第二方向上测量的。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市 | ||