| 发明名称 | 形成导体层的方法及使用导电层制备多层布线基板的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于形成导体层的方法，其中，在对聚酰亚胺膜的聚酰亚胺层(a)的表面进行聚酰亚胺蚀刻处理以去除聚酰亚胺层(a)——其中所述聚酰亚胺层(a)设置在聚酰亚胺层(b)的一个或两个表面上——的至少一部分之后，在所述表面上形成导体层。所述用于形成导体层的方法的特征在于，使用由所示式定义的t(min)表示的聚酰亚胺蚀刻处理时间T(min)在0.2t≤T≤5t的范围内。<img file="DDA0001109629110000011.GIF" wi="1406" he="171" /> | ||
| 申请公布号 | CN106062895A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201580012080.5 | 申请日期 | 2015.01.21 |
| 申请人 | 宇部兴产株式会社 | 发明人 | 三浦彻;番场啓太;幸田政文;横沢伊裕 |
| 分类号 | H01B13/00(2006.01)I;B32B15/088(2006.01)I;H05K1/03(2006.01)I;H05K3/38(2006.01)I;H05K3/46(2006.01)I | 主分类号 | H01B13/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 彭雪瑞;臧建明 |
| 主权项 | 一种用于形成导体层的方法，所述方法包括以下步骤：将形成有聚酰亚胺层(a)的聚酰亚胺膜的表面进行聚酰亚胺蚀刻处理，以去除聚酰亚胺层(a)的至少一部分，其中所述聚酰亚胺膜具有在聚酰亚胺层(b)的一个表面或两个表面上形成的所述聚酰亚胺层(a)；然后在所述表面上形成导体层，其中使用由下面描述的公式定义的t(min)表示聚酰亚胺蚀刻处理时间T(min)，所述聚酰亚胺蚀刻处理时间在0.2t≤T≤5t的范围内。<img file="FDA0001109629090000011.GIF" wi="1408" he="173" /> | ||
| 地址 | 日本山口县宇部市 | ||