HIGH EFFICIENCY LIGHT EMITTING DIODE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

摘要

고효율 발광 다이오드가 개시된다. 이 발광 다이오드는 지지기판상에 위치하는 반도체 적층 구조체를 포함한다. 반도체 적층 구조체는 p형 화합물 반도체층, 활성층 및 n형 화합물 반도체층을 포함하며, p형 화합물 반도체층이 n형 화합물 반도체층보다 지지기판 측에 위치한다. 개구부가 p형 화합물 반도체층 및 활성층을 적어도 2 영역으로 나누며 n형 화합물 반도체층을 노출시킨다. 한편, 절연층이 n형 화합물 반도체층의 노출면과 개구부의 측벽을 덮는다. 또한 투명 전극층이 절연층 및 p형 화합물 반도체층을 덮어 p형 화합물 반도체층에 오믹 콘택한다. 고반사 절연층이 투명 전극층을 덮어 형성되어 활성층에서 지지기판쪽으로 향하는 광을 반사시킨다. p-전극이 고반사 절연층을 덮어 형성되고, n-전극이 n형 화합물 반도체층의 상부에 형성된다. 상기 고반사 절연층은 상기 투명 전극층을 노출시키도록 일부가 제거되며, p-전극은 노출된 투명 전극층에 전기적으로 연결된다. 고반사 절연층에 의해 지지기판 측으로 진행하는 광의 반사율을 향상시킬 수 있는 고효율 발광 다이오드가 제공될 수 있다.