发明名称 |
透明导电元件的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种透明导电元件的制备方法,其包括以下步骤:提供一碳纳米管膜,该碳纳米管膜包括多个碳纳米管线并排且间隔设置,以及多个碳纳米管搭接在该相邻碳纳米管线之间;将该碳纳米管膜设置于一软化的聚合物基底表面;拉伸该聚合物基底和该碳纳米管膜;以及硬化该聚合物基底以保持该碳纳米管膜拉伸后的状态。 |
申请公布号 |
CN103854804B |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201210493750.8 |
申请日期 |
2012.11.28 |
申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
发明人 |
姜开利;李群庆;魏洋;范守善 |
分类号 |
H01B13/00(2006.01)I;H01B5/14(2006.01)I |
主分类号 |
H01B13/00(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种透明导电元件的制备方法,其包括以下步骤:提供一碳纳米管膜,该碳纳米管膜包括多个碳纳米管线并排且间隔设置,以及多个碳纳米管搭接在相邻碳纳米管线之间;将该碳纳米管膜设置于一热塑性聚合物基底表面;加热软化该热塑性聚合物基底;沿垂直于碳纳米管线的方向拉伸该热塑性聚合物基底和该碳纳米管膜,其特征在于,通过两个固定装置分别将该热塑性聚合物基底平行于碳纳米管线延伸方向的相对两边固定,然后沿着沿垂直于碳纳米管线的方向给该两个固定装置分别施加相反的拉力;以及硬化该热塑性聚合物基底以保持该碳纳米管膜拉伸后的状态。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |