发明名称 |
结合不同图案材料的光学光刻技术 |
摘要 |
本发明涉及结合不同图案材料的光学光刻技术。具体的,本发明提供一种用于图案化工件的技术,所述工件例如集成电路工件。在示范性实施例中,所述方法包含接收工件,所述工件具有设置在衬底上的材料层。第一组鳍形成在所述材料层上,并且第二组鳍形成在所述材料层上,穿插在所述第一组鳍之间。所述第二组鳍具有与所述第一组鳍不同的蚀刻剂灵敏度。在所述第一组鳍上实施第一蚀刻工艺并且经配置以避免实质上蚀刻所述第二组鳍。在所述第二组鳍上实施第二蚀刻工艺并且经配置以避免实质上蚀刻所述第一组鳍。所述材料层被蚀刻以转移图案,所述图案由所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺界定。 |
申请公布号 |
CN106057665A |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201510859123.5 |
申请日期 |
2015.11.30 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
曾晋沅;洪继正;陈俊光;陈德芳;刘如淦;高蔡胜;林纬良 |
分类号 |
H01L21/311(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/311(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
路勇 |
主权项 |
一种图案化工件的方法,所述方法包含:接收工件,所述工件具有待图案化的材料层;在所述材料层上形成第一组鳍;在所述材料层上形成第二组鳍,所述第二组鳍穿插在所述第一组鳍之间,其中第二组鳍具有与所述第一组鳍不同的蚀刻剂灵敏度;在所述第一组鳍上实施第一蚀刻工艺,经配置以避免实质上蚀刻所述第二组鳍;在所述第二组鳍上实施第二蚀刻工艺,经配置以避免实质上蚀刻所述第一组鳍;以及蚀刻所述材料层,从而将图案转移到所述材料层,所述图案由所述第一蚀刻工艺和所述第二蚀刻工艺界定。 |
地址 |
中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号 |