发明名称 |
一种纳米尺度多晶硅线条的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种纳米尺度多晶硅线条的制备方法。本发明采用在衬底上形成非晶硅薄膜层,然后在非晶硅薄膜层上刻蚀出纳米尺度细线条,最后进行退火处理,再结晶得到高质量低内部缺陷的柱状多晶硅;本发明再结晶后得到的多晶硅的晶粒尺寸显著提高,内部缺陷减少,结晶效果好;再结晶后得到的多晶硅,由于晶粒间界更少,方块电阻下降,载流子迁移率提高,对提高多晶硅金属‑氧化物半导体场效应晶体管MOSFET的性能有积极效果;能够通过设计纳米尺度细线条的宽度来控制多晶硅的结晶大小,可控性和均匀性高;与体硅CMOS工艺完全相兼容,工艺简单,成本代价小,适用于三维集成。 |
申请公布号 |
CN106057664A |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201610603257.5 |
申请日期 |
2016.07.27 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
黎明;陈珙;张昊;杨远程;黄如 |
分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01)I |
代理机构 |
北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 |
代理人 |
王岩 |
主权项 |
一种纳米尺度多晶硅线条的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:1)在硅衬底上制备一层介质隔离层;2)在介质隔离层上淀积一层非晶硅,形成非晶硅薄膜层;3)利用光刻技术,在非晶硅薄膜层上形成光刻胶,并形成光刻胶的图案,光刻胶的图案为纳米尺度细线条;4)利用光刻胶作为掩膜,在非晶硅薄膜层上刻蚀出纳米尺度细线条;5)对刻蚀出纳米尺度细线条的非晶硅进行退火结晶处理,纳米尺度细线条的边界限制晶粒的生长,多晶硅的晶粒生长方向倾向于沿细线条长度方向,从而在介质隔离层上得到柱状多晶硅。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号 |