在平坦化电极上的磁性隧道结

摘要

本发明涉及在平坦化电极上的磁性隧道结。制造一种直接接触的磁性隧道结MTJ，其具有较低电阻、改进的合格率和较简单的制造。所述较低电阻改进所述MTJ中的读取与写入过程两者。将所述MTJ层(126)沉积在底部电极(124)上且与底部金属(122)对准。可邻近所述底部金属而沉积蚀刻止挡层(302)，以防止围绕所述底部金属的绝缘体过度蚀刻。在沉积所述MTJ层之前平坦化所述底部电极以提供实质上扁平表面。另外，可在所述MTJ层之前将下层(202)沉积在所述底部电极上以促进MTJ的所要特性。

主权项

一种用于制造存储器装置的方法，其包括：将第二绝缘层沉积在底部金属上和第一绝缘层上；图案化所述第二绝缘层以暴露所述底部金属；在图案化所述第二绝缘层之后将底部电极材料沉积在所述底部金属上和所述第二绝缘层上；平坦化所述底部电极材料以形成底部电极，所述底部电极具有与所述第二绝缘层的上表面共面的上表面；将包括磁性隧道结层的材料堆叠沉积在所述底部电极上方；图案化所述底部电极上的所述材料堆叠，所述材料堆叠小于所述底部电极；将第三绝缘层沉积在所述底部电极上和所述第二绝缘层上，所述第三绝缘层与所述底部电极和所述第二绝缘层接触，所述第三绝缘层围绕所述材料堆叠并与所述材料堆叠邻接；将顶部电极材料沉积在所述材料堆叠上和所述第三绝缘层上；图案化所述顶部电极材料以形成顶部电极，所述顶部电极与所述材料堆叠邻接且与所述第三绝缘层邻接；以及将第四绝缘层沉积在所述第二绝缘层上，所述第四绝缘层围绕所述第三绝缘层并与所述第三绝缘层接触且与所述顶部电极和所述第三绝缘层两者接触。