| 发明名称 | 化合物半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种化合物半导体器件及其制造方法，该器件包括：衬底；电子渡越层，形成在衬底的上方；电子供应层，形成在电子渡越层的上方；以及缓冲层，形成在衬底与电子渡越层之间且包括Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N(0≤x≤1)，其中，x值表示沿缓冲层的厚度方向的多个最大值和多个最小值，所述x值沿所述缓冲层的任意厚度方向连续变化，并且在缓冲层中具有1nm厚度的任何区域中x的变化为0.5或更小。本发明具有良好的结晶度。 | ||
| 申请公布号 | CN106057648A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201610536760.3 | 申请日期 | 2011.12.02 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 清水早苗;今西健治;山田敦史;宫岛豊生 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;金鹏 |
| 主权项 | 一种化合物半导体器件，包括：衬底；电子渡越层，形成在所述衬底的上方；电子供应层，形成在所述电子渡越层的上方；以及缓冲层，形成在所述衬底与所述电子渡越层之间且包括Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N，其中0≤x≤1，其中x值表示沿所述缓冲层的厚度方向的多个最大值和多个最小值，所述x值沿所述缓冲层的任意厚度方向连续变化，以及在所述缓冲层中具有1nm厚度的任何区域中，所述x值的变化为0.5或更小。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县川崎市 | ||