| 发明名称 | 采用自谐振网络的MOSFET高频驱动器 | ||
| 摘要 | 采用自谐振网络的MOSFET高频驱动器，属于电力电子领域。解决了现有高频MOSFET的驱动多采用晶振实现，该种驱动方式灵活性较差的问题。它包括电感L<sub>F</sub>、辅助开关管S<sub>help</sub>和自谐振反馈网络模块；电感L<sub>F</sub>的一端与输入电源的正极连接，电感L<sub>F</sub>的另一端同时与自谐振反馈网络模块的电源正极和辅助开关管S<sub>help</sub>漏极连接，自谐振反馈网络模块电源负极同时与输入电源的负极和辅助开关管S<sub>help</sub>源极连接，自谐振反馈网络模块的电压信号输出端与辅助开关管S<sub>help</sub>的栅极连接，辅助开关管S<sub>help</sub>的漏极与被测主开关管S<sub>main</sub>栅极连接，辅助开关管S<sub>help</sub>的源极与被测主开关管S<sub>main</sub>源极连接。用于对MOS进行驱动。 | ||
| 申请公布号 | CN106059321A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201610393544.8 | 申请日期 | 2016.06.06 |
| 申请人 | 哈尔滨工业大学 | 发明人 | 王懿杰;管乐诗;卞晴;张相军;徐殿国 |
| 分类号 | H02M3/338(2006.01)I | 主分类号 | H02M3/338(2006.01)I |
| 代理机构 | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人 | 岳泉清 |
| 主权项 | 采用自谐振网络的MOSFET高频驱动器，其特征在于，它包括电感L<sub>F</sub>、辅助开关管S<sub>help</sub>和自谐振反馈网络模块(1)；所述的辅助开关管S<sub>help</sub>为MOS管；所述的电感L<sub>F</sub>的一端用于与输入电源V<sub>gate</sub>的正极连接，电感L<sub>F</sub>的另一端同时与自谐振反馈网络模块(1)的电源正极和辅助开关管S<sub>help</sub>的漏极连接，自谐振反馈网络模块(1)的电源负极同时与输入电源V<sub>gate</sub>的负极和辅助开关管S<sub>help</sub>的源极连接，自谐振反馈网络模块(1)的电压信号输出端与辅助开关管S<sub>help</sub>的栅极连接，辅助开关管S<sub>help</sub>的漏极用于与被测主开关管S<sub>main</sub>的栅极连接，辅助开关管S<sub>help</sub>的源极用于与被测主开关管S<sub>main</sub>的源极连接，所述的被测主开关管S<sub>main</sub>为MOS管，自谐振反馈网络模块(1)用于产生驱动信号，对辅助开关管S<sub>help</sub>进行驱动。 | ||
| 地址 | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 | ||