使用微波等离子体的薄膜沉积

摘要

本发明的实施例通常使用改良的微波辅助CVD腔室来提供含硅介电层的沉积工艺。在一个实施例中，提供一种在处理腔室中的基板的处理方法。此方法大致包括：将微波功率施加给天线，此天线耦接至配置在处理腔室之内的微波源，其中微波源被相对地配置在气体馈入源之上，气体馈入源被设置成用以提供实质上覆盖基板的整体表面的气体分布覆盖范围；以及使基板暴露至由气体馈入源所提供的处理气体所产生的微波等离子体，用以在低于约200摄氏度的温度下使含硅层沉积在基板上，微波等离子体使用在约1GHz至约10GHz的频率下的约500毫瓦特/cm²至约5000毫瓦特/cm²的微波功率。

主权项

一种使含硅层沉积在基板上的方法，所述方法包括：将基板加载至处理腔室的处理容积中，所述处理腔室具有配置在所述处理容积中的微波源及气体馈入源，其中所述气体馈入源配置在所述微波源与所述基板之间，所述微波源包括平行且纵向地彼此隔开地排列的一个或多个线性微波产生器，且所述气体馈入源包括平行且纵向地彼此隔开地排列的气体馈入线的阵列，所述气体馈入线具有多个穿孔，且其中所述一个或多个线性微波产生器以与所述气体馈入线平行的关系被排列；使处理气体从所述气体馈入源流入所述处理容积中；藉由将微波功率施加至耦接至所述微波源的天线而在所述处理容积中从处理气体产生等离子体；以及藉由使用在1GHz至10GHz的频率下的500毫瓦特/cm²至5000毫瓦特/cm²的微波功率，使含硅层在所述等离子体存在时沉积在所述基板上，其中所述基板在所述沉积期间维持在低于200摄氏度的温度。