| 发明名称 | 硅镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种硅镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法，硅和镱离子共掺YAG晶体的化学式为：Yb<sub>3x</sub>Y<sub>3(1‑x)</sub>Si<sub>5y</sub>Al<sub>5(1‑y)</sub>O<sub>12</sub>，式中x＝0.05～0.3,y＝0.0001～0.01，x为基质Yb离子的掺杂量，y为Si离子的掺杂量，Yb离子进入晶体取代Y离子格位，Si离子取代Al离子格位。本发明制备的Yb<sub>3x</sub>Y<sub>3(1‑x)</sub>Si<sub>5y</sub>Al<sub>5(1‑y)</sub>O<sub>12</sub>超快闪烁晶体具有光产额高、抗辐照损伤强等优点，可应用于超快脉冲辐射探测、惯性约束核聚变、空间辐射探测、核反应动力学研究等领域。 | ||
| 申请公布号 | CN106048725A | 申请公布日期 | 2016.10.26 |
| 申请号 | CN201610524103.7 | 申请日期 | 2016.07.06 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 陈建玉;侯晴;齐红基;韩和同;宋朝辉;张侃 |
| 分类号 | C30B29/22(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 张泽纯;张宁展 |
| 主权项 | 一种硅镱离子共掺YAG超快闪烁晶体，其特征在于：分子式为Yb<sub>3x</sub>Y<sub>3(1‑x)</sub>Si<sub>5y</sub>Al<sub>5(1‑y)</sub>O<sub>12</sub>，式中x＝0.05～0.3，y＝0.0001～0.01，x为Yb离子的掺杂量，y为基质Si离子的掺杂量，Yb离子进入晶体均取代Y离子格位，Si离子进入晶体取代Al离子格位。 | ||
| 地址 | 201800 上海市嘉定区上海市800－211邮政信箱 | ||