用于沟槽功率MOSFET的自对准接头

摘要

本发明的实施例提出了一种沟槽功率MOSFET器件的自对准接头。该器件具有一个氮化层，位于栅极沟槽中导电材料上方，以及每两个邻近的接触结构之间的那部分台面结构上方。还可选择，该器件具有一个氧化层，在栅极沟槽中的导电材料上方，以及每两个邻近的接触结构之间的那部分台面结构上方。要强调的是，本摘要是为了满足摘要的要求，允许研究人员或其他读者快速掌握技术方案的主旨内容。提交本专利应理解，它不会被用来解释或限制权利要求书的范围或含义。

主权项

一种器件，其特征在于，包含：一个半导体衬底；若干个形成在半导体衬底中的栅极沟槽，每个栅极沟槽都沿栅极沟槽内的侧壁内衬绝缘材料，每个栅极沟槽都在栅极沟槽中具有导电材料；以及若干个接触结构，每个接触结构都形成在相应的若干个沟槽中的其中一个沟槽附近，并用导电材料填充，其中一个氮化层位于栅极沟槽中的导电材料上方，以及若干个接触沟槽的邻近接触结构之间的那部分台面结构上方。