发明名称 基于P型硅衬底的双面太阳能电池及其制备方法
摘要 本发明公开了一种基于P型硅衬底的双面太阳能电池,包括一P型硅衬底,所述P型硅衬底具有相对的前表面和背表面,其中,所述前表面设置有掺杂磷的N+掺杂层和多个相互间隔的N++重掺杂区;所述背表面设置有掺杂硼的P+掺杂层和多个相互间隔的P++重掺杂区;所述前表面上依次设置有第一减反钝化膜和多个正面电极,所述背表面上依次设置有第二减反钝化膜和多个背面电极。本发明还公开了如上所述太阳能电池的制备方法。本发明的太阳能电池中采用P型硅片作为双面太阳能电池的衬底材料,具有明显的成本优势,同时,结合激光无损掺杂技术,使其制备方法更为简化,易于实现,有利于大规模的产业化应用。
申请公布号 CN106057951A 申请公布日期 2016.10.26
申请号 CN201610596137.7 申请日期 2016.07.27
申请人 青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司 发明人 吕欣;郭灵山;马少华;王彬;孟庆平;崇锋;侯少攀;陈文浩
分类号 H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/068(2012.01)I
代理机构 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人 孙伟峰;黄进
主权项 一种基于P型硅衬底的双面太阳能电池,包括一P型硅衬底,所述P型硅衬底具有相对的前表面和背表面,其特征在于,所述前表面设置有掺杂磷的N+掺杂层,在所述N+掺杂层的内侧,所述P型硅衬底中形成有多个相互间隔的N++重掺杂区;所述背表面设置有掺杂硼的P+掺杂层,在所述P+掺杂层的内侧,所述P型硅衬底中形成有多个相互间隔的P++重掺杂区;所述前表面上依次设置有第一减反钝化膜和多个正面电极,所述多个正面电极一一对应地位于所述多个N++重掺杂区的上方,所述正面电极穿透所述第一减反钝化膜电性连接于所述N++重掺杂区;所述背表面上依次设置有第二减反钝化膜和多个背面电极,所述多个背面电极一一对应地位于所述多个P++重掺杂区的上方,所述背面电极穿透所述第二减反钝化膜电性连接于所述P++重掺杂区。
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