发明名称 |
一种高转化率的纳米太阳能电池及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种高转化率的纳米太阳能电池及其制备方法,包括衬底、多晶硅薄膜,衬底与多晶硅薄膜之间设有钝化层,钝化层表面设有氧化硅薄膜,氧化硅薄膜与多晶硅薄膜之间设有上电极;上电极与多晶硅薄膜之间设有P型硅基体,多晶硅薄膜上设有P‑n结,衬底设置在背面AI电极上。本发明通过设置钝化层,在钝化层上设置氧化硅薄膜,这种氧化硅薄膜可以释放在高电势下氮化硅薄膜中储存的正电荷,从而具有抗高电势下衰减的作用,并且提高太阳能电池的光电转换效率。 |
申请公布号 |
CN106057917A |
申请公布日期 |
2016.10.26 |
申请号 |
CN201610696277.1 |
申请日期 |
2016.08.22 |
申请人 |
四川英发太阳能科技有限公司 |
发明人 |
张杰 |
分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/04(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种高转化率的纳米太阳能电池,其特征在于,包括衬底(2)、多晶硅薄膜(6),衬底(2)与多晶硅薄膜(6)之间设有钝化层(3),钝化层(3)表面设有氧化硅薄膜(4),氧化硅薄膜(4)与多晶硅薄膜(6)之间设有上电极(3);上电极(3)与多晶硅薄膜(6)之间设有P型硅基体,多晶硅薄膜(6)上设有P‑n结,衬底(2)设置在背面AI电极(1)上。 |
地址 |
610000 四川省成都市双流区西南航空港经济开发区天威路1号 |