发明名称 一种复合型CMOS图像传感器
摘要 一种复合型CMOS图像传感器,包括光电二极管(110)、复位MOS管(120)、条件复位MOS管(130)、模式选择MOS管(210)、与二极管连接的MOS管(220)、放大管(410)、行选择MOS管(510)和电流源(610)。
申请公布号 CN106060433A 申请公布日期 2016.10.26
申请号 CN201610559996.9 申请日期 2016.07.15
申请人 王海英 发明人 王海英;刘强
分类号 H04N5/374(2011.01)I;H04N5/355(2011.01)I;H04N5/365(2011.01)I 主分类号 H04N5/374(2011.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种复合型CMOS图像传感器,包括光电二极管(110)、复位MOS管(120)、条件复位MOS管(130)、模式选择MOS管(210)、与二极管连接的MOS管(220)、放大管(410)、行选择MOS管(510)和电流源(610),其特征在于:所述光电二极管(110)的正极接地,负极接所述复位MOS管(120)的源极,所述光电二极管(110)作为感光器件;所述复位MOS管(120)用于在曝光前对所述光电二极管(110)进行复位,所述复位MOS管(120)的漏极接电源VDD,栅极接复位信号RST,源极接所述光电二极管(110)的负极;所述条件复位MOS管(130)用于在弱光调节下进行条件重置,所述条件复位MOS管(130)的漏极接电源VDD,栅极接条件重置信号CRST,源极接所述光电二极管(110)的负极;所述模式选择MOS管(210)用于进行开关选择,所述模式选择MOS管(210)的漏极接电源VDD,栅极接模式选择信号V<sub>LOG</sub>,源极接所述与二极管连接的MOS管(220)的漏极;所述与二极管连接的MOS管(220)用于在中强光下实现对数响应,所述与二极管连接的MOS管(220)的漏极和栅极相连,源极接所述光电二极管(110)的负极;所述放大管(410)用于将感应的电荷进行放大并且转移成电压信号,其栅极的寄生电容用于存储电荷,所述放大管(410)的漏极接电源VDD,栅极接接所述光电二极管(110)的负极,源极接所述行选择MOS管(510)的漏极;所述行选择MOS管(510)用于对像素进行选择输出,所述行选择MOS管(510),的漏极接所述放大管(410)的源极,栅极接行选择信号RS,源极做输出;所述电路源(610)的漏极接输出,栅极接偏置电压信号,源极接地。
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