| 摘要 |
本開示は、概して、第ＩＩＩ〜Ｖ族窒化物結晶を成長させるためのシステムおよび方法に関する。特に、システムおよび方法は、結晶の構成物質種を、構成物質種で構成される多孔質体を通して拡散させることを含み、前記種は、自由核生成して大型窒化物結晶を成長させる。本開示は、概して、大型高品質第ＩＩＩ〜Ｖ族シード結晶を生成するための方法およびプロセスに関する。ＡｌＮおよびＧａＮに関連して説明されているが、他の第ＩＩＩ族窒化物、例えば中でもＡｌＧａＮもまた生成され得る。本開示はまた、システム、素子、組成物、および本明細書において開示される方法により生成される製造品に関する。 |
