| 摘要 |
버티컬 트랜지스터 및 이를 포함하는 저항 변화 메모리 장치에 관한 기술이다. 버티컬 트랜지스터는 반도체 기판 표면에 대해 수직으로 연장되며, 소스, 채널 영역 및 드레인이 한정되어 있는 필라, 상기 필라의 상기 채널 영역, 상기 채널 영역과 접하는 상기 소스의 일부 및 상기 채널 영역과 접하는 상기 드레인의 일부와 오버랩되도록 상기 필라의 외주에 형성되는 게이트, 및 상기 게이트와 오버랩되는 상기 드레인에 형성되는 전계 완화 영역을 포함하며, 상기 전계 완화 영역은 상기 필라를 구성하는 물질의 밴드갭과 다른 밴드갭을 갖는 반도체 물질로 형성된다. |
