发明名称 |
マルチプルなワード線設計を有するメモリ |
摘要 |
マルチプルな読み出しワード線設計を有するメモリのための様々な装置および方法が開示されている。メモリは、行に配列された複数のビットセル、複数のビットセルの第1のサブセットに接続された第1の読み出しワード線、および複数のビットセルの第2のサブセットに接続された第2の読み出しワード線を含むことができ、第1および第2のサブセットは、ビットセルの同じ行に位置付けられる。方法は、第1の読み出し動作中、ビットセルの行に配列された複数のビットセルの第1のサブセットに接続された第1の読み出しワード線をアサートすることと、第2の読み出し動作中、複数のビットセルの第2のサブセットに接続された第2の読み出しワード線をアサートすることと、を含むことができ、第1および第2のサブセットは、ビットセルの同じ行に位置付けられる。【選択図】図1 |
申请公布号 |
JP2016532988(A) |
申请公布日期 |
2016.10.20 |
申请号 |
JP20160525095 |
申请日期 |
2014.08.21 |
申请人 |
クゥアルコム・インコーポレイテッドQUALCOMM INCORPORATED |
发明人 |
グラティ、チラグ;シンハ、ラケシュ・クマー;チャバ、リツ;ユン、セイ・スン |
分类号 |
G11C11/413;G11C11/412;H01L21/8244;H01L27/10;H01L27/11 |
主分类号 |
G11C11/413 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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