ＣＭＰによる障壁上に疎に分散された金属特徴のパターニングのためのダミー障壁層特徴

摘要

半導体デバイスが、基板上に形成された複数のデバイス特徴と、基板上に及びデバイス特徴間の開口領域にわたって形成された複数のダミー特徴と、を備える。隣接するデバイス特徴は、１００ミクロン以上の距離だけ離間される。各デバイス特徴は、障壁島及び障壁島の上面上の金属層を含む。各ダミー特徴は、障壁島の構造に対応する構造を有する。この要約は、調査者または他の読み手が技術的開示の主題を迅速に把握することを可能にするような要約を要求する規則に従うように、提供される。要約は、それが特許請求の範囲または意味を解釈するためにも限定するためにも使用されないという理解の下で提示される。