| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Projektionsbelichtungsanlage (1) für die Halbleiterlithographie, mit einem Dämpfungselement (15, 15’, 15’’) zur Schwingungsdämpfung einer Komponente (8, 8‘) der Projektionsbelichtungsanlage (1), wobei das Dämpfungselement (15, 15’, 15’’) eine Formgedächtnislegierung enthält. |
