IGBT器件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种IGBT器件及其制作方法，包括：提供第一基板，所述第一基板包括具有第一掺杂浓度的本体层和位于所述本体层第一表面的缓冲层；提供第二基板，所述第二基板具有第二掺杂浓度，所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度；将所述第二基板键合在所述本体层的第二表面，所述第二表面为与所述第一表面相对的表面。将第二基板键合在本体层的第二表面之后，可在第二基板内制作阱区和源区，这样第二基板就相当于包裹阱区的载流子存储层，并且，与现有的载流子存储层相比，第二基板的制作工艺更简单、成本更低，且第二基板的均匀性更好，从而提高了IGBT器件的稳定性，优化了IGBT器件的导通性能和关断性能等。

主权项

一种IGBT器件的制作方法，其特征在于，包括：提供第一基板，所述第一基板包括具有第一掺杂浓度的本体层和位于所述本体层第一表面的缓冲层；提供第二基板，所述第二基板具有第二掺杂浓度，所述第二掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度；将所述第二基板键合在所述本体层的第二表面，所述第二表面为与所述第一表面相对的表面。