Method of forming fine patterns

摘要

화학증폭형 레지스트층(layer of chemically amplified resist)의 제1영역들에 산(acid)들을 발생시키도록 노광하고 제1현상하여 레지스트 제1패턴들을 형성하고, 레지스트 제1패턴들의 측벽 부분들에 잔존하는 산들을 내측으로 확산(diffusion)하여 산들이 확산된 제2영역들 및 산들이 확산되지 못한 제3영역들을 형성하고, 제3영역들을 제2현상하여 레지스트 제2패턴들을 패터닝하는 미세 패턴 형성 방법을 제시한다.