发明名称 |
高方阻铝膜 |
摘要 |
本发明公开了一种高方阻铝膜,包括基膜、加厚区、渐变方阻区,所述加厚区和所述渐变方阻区均为位于所述基膜上方的金属蒸镀层,且所述加厚区位于所述基膜的一侧,所述渐变方阻区位于所述基膜的另一侧和所述加厚区之间,且所述渐变方阻区的厚度自所述加厚区连接处向所述基膜的另一侧逐渐降低。所述加厚区降低了薄膜电容器的喷金层和芯子的接触电阻,能承受比较大的电流。所述渐变方阻区使其方块电阻出现从小到大的变化,并与电容器的电流密度分布相适应,提高电容器的耐压强度。 |
申请公布号 |
CN103456492B |
申请公布日期 |
2016.10.19 |
申请号 |
CN201310400393.0 |
申请日期 |
2013.09.06 |
申请人 |
安徽赛福电子有限公司 |
发明人 |
许明建;周峰 |
分类号 |
H01G4/005(2006.01)I |
主分类号 |
H01G4/005(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种高方阻铝膜,其特征是:包括基膜(1)、加厚区(2)、渐变方阻区(3),所述加厚区(2)和所述渐变方阻区(3)均为位于所述基膜(1)上方的金属蒸镀层,且所述加厚区(2)位于所述基膜(1)的一侧,所述渐变方阻区(3)位于所述基膜(1)的另一侧和所述加厚区(2)之间,且所述渐变方阻区(3)的厚度自所述加厚区(2)连接处向所述基膜(1)的另一侧逐渐降低;所述加厚区(2)为金属锌蒸镀层;所述渐变方阻区(3)为金属铝蒸镀层。 |
地址 |
244000 安徽省铜陵市狮子山区栖凤路1771号 |