| 发明名称 | CIGS系化合物太阳能电池 | ||
| 摘要 | 提供一种CIGS系太阳能电池，其生产效率和转换效率这两特性优异，其在基板(1)上依次具备CIGS光吸收层(3)、缓冲层(4)、透明电极层(5)，使上述缓冲层(4)含包含ZnO、MgO、ZnS的混晶。 | ||
| 申请公布号 | CN104995749B | 申请公布日期 | 2016.10.19 |
| 申请号 | CN201480008166.6 | 申请日期 | 2014.01.24 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 寺地诚喜;河村和典;山本祐辅;西井洸人;渡边太一 |
| 分类号 | H01L31/0749(2006.01)I;H01L31/0296(2006.01)I;C01B19/04(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0749(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种CIGS系化合物太阳能电池，其特征在于，在基板上至少依次具备：包含I‑III‑VI族化合物半导体的光吸收层、缓冲层、以及透明电极层，所述缓冲层含包含ZnO、MgO、ZnS的混晶，将所述缓冲层的ZnS的含量设定为0.5～5.0摩尔％，并且将所述缓冲层的MgO+ZnS相对于ZnO+MgO+ZnS的摩尔比即(MgO+ZnS)/(ZnO+MgO+ZnS)设定为0.08～0.4。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||