半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有若干分立的栅极结构以及栅极结构侧壁表面的侧墙；在半导体衬底表面形成表面与栅极结构表面齐平的介质层；在所述介质层、栅极结构和侧墙上形成具有开口的掩膜层，开口宽度大于相邻栅极结构之间的介质层宽度，且横跨栅极结构之间的介质层；沿开口刻蚀部分深度的介质层，形成第一凹槽，然后去除图形化掩膜层；刻蚀去除部分高度的栅极结构，形成位于栅极结构顶部的第二凹槽；形成填充满第一凹槽的第一保护层、填充满第二凹槽的第二保护层；刻蚀相邻栅极结构之间的位于第一保护层两侧的介质层至半导体衬底表面，形成接触孔。上述方法有利于提高形成的半导体结构的性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有若干分立的栅极结构以及位于栅极结构侧壁表面的侧墙，所述栅极结构包括位于半导体衬底表面的栅介质层以及位于栅介质层表面的栅极；在所述半导体衬底表面形成介质层，所述介质层的表面与栅极结构表面齐平；在所述介质层、栅极结构和侧墙上形成具有开口的掩膜层，所述开口宽度大于相邻栅极结构之间的介质层的宽度，且横跨相邻栅极结构之间的介质层；沿所述开口刻蚀部分深度的介质层，在所述介质层内形成第一凹槽；去除所述图形化掩膜层；刻蚀去除部分高度的栅极结构，形成位于栅极结构顶部的第二凹槽；形成填充满第一凹槽的第一保护层、填充满第二凹槽的第二保护层；刻蚀相邻栅极结构之间、位于第一保护层两侧的介质层至半导体衬底表面，形成接触孔。