发明名称 |
卫星材料表面的二次电子发射率的测量装置及其使用方法 |
摘要 |
本发明提出了一种卫星材料表面的二次电子发射率的测量装置及使用此装置的方法。该测量装置包括:粒子枪、电子检测仪、法拉第杯、真空罐、转台和控制台,其中粒子枪用来输出测量过程中所需要的粒子束流,包括电子或离子;真空罐为测试提供真空腔体空间;转台安装于真空罐的底部,用来为待测材料样品和电子检测仪和粒子束流提供适当的配合位置;电子检测仪用来测量待测材料表面的二次电子的发射强度;法拉第杯用来测量入射粒子的强度;控制台用来对法拉第杯、电子检测仪进行数据采集,并控制待测材料样品的电位。 |
申请公布号 |
CN106033065A |
申请公布日期 |
2016.10.19 |
申请号 |
CN201510112643.X |
申请日期 |
2015.03.13 |
申请人 |
中国科学院空间科学与应用研究中心 |
发明人 |
杨垂柏;孔令高;张珅毅;张斌全;荆涛;关燚炳;曹光伟;梁金宝 |
分类号 |
G01N23/22(2006.01)I |
主分类号 |
G01N23/22(2006.01)I |
代理机构 |
北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 |
代理人 |
王宇杨;杨青 |
主权项 |
一种卫星材料表面的二次电子发射率的测量装置,包括:粒子枪、电子检测仪、法拉第杯、真空罐、转台和控制台,其中粒子枪用来输出测量过程中所需要的粒子束流,包括电子或离子;真空罐为测试提供真空腔体空间;转台安装于真空罐的底部,用来为待测材料样品和电子检测仪和粒子束流提供适当的配合位置;电子检测仪用来测量待测材料表面的二次电子的发射强度;法拉第杯用来测量入射粒子的强度;控制台用来对法拉第杯、电子检测仪进行数据采集,并控制待测材料样品的电位。 |
地址 |
100190 北京市海淀区中关村南二条1号 |