| 发明名称 | 一种CMEMS器件及其制备方法、电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种CMEMS器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1：提供半导体衬底并执行CMOS工艺，以形成CMOS器件，其中，在所述CMOS器件的顶部形成有顶部金属层和第一钝化层，所述第一钝化层包括焊盘区域和密封环区域；步骤S2：图案化所述第一钝化层，以在所述焊盘区域中形成若干第一开口，露出所述顶部金属层；步骤S3：沉积焊盘材料层，以填充所述第一开口并覆盖所述第一钝化层，其中位于所述第一开口区域的焊盘材料层的表面高于所述第一钝化层的表面；步骤S4：执行平坦化步骤，以焊盘材料层的表面齐平；步骤S5：图案化所述焊盘材料层以形成若干焊盘，同时形成密封环；步骤S6：执行MEMS工艺，以在所述CMOS器件上方形成MEMS器件。 | ||
| 申请公布号 | CN106032264A | 申请公布日期 | 2016.10.19 |
| 申请号 | CN201510107387.5 | 申请日期 | 2015.03.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 何昭文;李杨珍 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 高伟;冯永贞 |
| 主权项 | 一种CMEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底并执行CMOS工艺，以形成CMOS器件，其中，在所述CMOS器件的顶部形成有顶部金属层和第一钝化层，所述第一钝化层包括焊盘区域和密封环区域；步骤S2：图案化所述第一钝化层，以在所述焊盘区域中形成若干第一开口，露出所述顶部金属层；步骤S3：沉积焊盘材料层，以填充所述第一开口并覆盖所述第一钝化层，其中位于所述第一开口区域的焊盘材料层的表面高于所述第一钝化层的表面；步骤S4：执行平坦化步骤，以使位于所述第一开口区域的焊盘材料层的表面与位于所述密封环区域上的焊盘材料层的表面齐平；步骤S5：图案化所述焊盘材料层以在所述焊盘区域形成若干焊盘，同时在所述密封环区域形成密封环；步骤S6：执行MEMS工艺，以在所述CMOS器件上方形成MEMS器件。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||