衬底处理装置、气体分散单元、半导体器件的制造方法及程序

摘要

本发明涉及衬底处理装置、气体分散单元、半导体器件的制造方法及程序。根据本发明，提高了形成在衬底上的膜的特性，并且提高了制造生产率。所述衬底处理装置具有：处理衬底的处理室；载置上述衬底的衬底载置台；和气体分散单元，其具有第1供给区域和第2供给区域，所述第1供给区域与上述衬底对置，且设置有供给第1气体的第1分散孔和供给第2气体的第2分散孔，所述第2供给区域与上述衬底载置台的比载置衬底的面更靠外周侧的面对置，且设有第3分散孔，所述第3分散孔以比上述第2分散孔大的孔径形成且供给上述第2气体。

主权项

一种衬底处理装置，具有：处理衬底的处理室；载置所述衬底的衬底载置台；和气体分散单元，所述气体分散单元具有第1供给区域和第2供给区域，所述第1供给区域与所述衬底对置，且设有供给第1气体的第1分散孔和供给第2气体的第2分散孔，所述第2供给区域与所述衬底载置台的比载置衬底的面更靠外周侧的面对置，且设有第3分散孔，所述第3分散孔以比所述第2分散孔大的孔径形成、且供给所述第2气体。